薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于薄膜晶体管技术领域。所述薄膜晶体管包括：衬底、栅电极、栅极绝缘层、以及有源层，栅极绝缘层包括：内部缺陷防止层和界面缺陷防止层，内部缺陷防止层位于界面缺陷防止层和栅电极之间，内部缺陷防止层用于减少栅极绝缘层的内部缺陷，界面缺陷防止层用于减少栅极绝缘层和有源层的接触界面的缺陷。本发明通过上述方式设置栅极绝缘层，可以减少栅极绝缘层内部以及栅极绝缘层与有源层接触面的缺陷态数量，进而减少了载流子(即正电子)在栅极绝缘层内部以及栅极绝缘层与有源层接触面处的累积，这样能有效减少薄膜晶体管的阀值电压的偏移现象，降低薄膜晶体管的不良率。

主权项

一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：衬底、栅电极、栅极绝缘层以及有源层，所述栅极绝缘层夹设于所述栅电极和所述有源层之间，其特征在于，所述栅极绝缘层包括：内部缺陷防止层和界面缺陷防止层，所述内部缺陷防止层位于所述界面缺陷防止层和所述栅电极之间，所述内部缺陷防止层用于减少所述栅极绝缘层的内部缺陷，所述界面缺陷防止层用于减少所述栅极绝缘层和所述有源层的接触界面的缺陷。