发明名称 |
一种存储器装置及提供该存储器装置的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种存储器装置及提供该存储器装置的方法。该存储器装置包括第一组存储单元以及第二组存储单元,第一组存储单元与第二组存储单元具有存储器元件以及位于第一与第二组存储单元上的第一与第二覆盖材料。第一与第二覆盖材料包括较低与较高密度的氮化硅。存储器元件包括可编程电阻存储器材料,而覆盖材料接触存储器元件。第一与第二组存储单元具有共同的存储单元结构。第一组存储单元的第一存储单元包括顶电极与底电极,而第一覆盖材料接触存储器材料。控制电路应用不同的写入算法至第一与第二组存储单元。通过使用不同的覆盖材料形成第一与第二覆盖层,第一与第二组存储单元具有不同的操作存储器特性,但具有相同的存储单元结构。 |
申请公布号 |
CN104966717A |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201510033933.5 |
申请日期 |
2015.01.23 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
龙翔澜;吴昭谊;简维志 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种存储器装置,包括:一第一组存储单元以及一第一覆盖材料,该第一覆盖材料位于该第一组存储单元上;一第二组存储单元以及一第二覆盖材料,该第二覆盖材料位于该第二组存储单元上;以及该第一覆盖材料不同于该第二覆盖材料。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |