| 发明名称 | 一种改善Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法。该方法包括对衬底表面进行N<sub>2</sub>等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤，所述对衬底进行N<sub>2</sub>等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤均在TFS 200原子层沉积系统中进行，其中：对衬底表面进行N<sub>2</sub>等离子体处理步骤是将衬底置于TFS 200原子层沉积系统的腔体中，利用TFS 200原子层沉积系统自带的等离子体发生器产生N<sub>2</sub>等离子体对衬底表面进行N<sub>2</sub>等离子体处理；栅介质沉积步骤是将N<sub>2</sub>等离子体处理后的衬底在原位沉积栅介质。采用该方法可以有效钝化边界缺陷及Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/InP界面的界面缺陷，还可以降低栅漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN104966673A | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201510393302.4 | 申请日期 | 2015.07.07 |
| 申请人 | 桂林电子科技大学 | 发明人 | 李海鸥;曹明民;林子曾;王盛凯;刘洪刚;李琦;肖功利;高喜;曹卫平 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人 | 唐智芳 |
| 主权项 | 一种改善Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法，包括对衬底表面进行N<sub>2</sub>等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤，其特征在于：所述对衬底进行N<sub>2</sub>等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤均在TFS200原子层沉积系统中进行，其中：对衬底表面进行N<sub>2</sub>等离子体处理步骤是将衬底置于TFS 200原子层沉积系统的腔体中，利用TFS 200原子层沉积系统自带的等离子体发生器产生N<sub>2</sub>等离子体对衬底表面进行N<sub>2</sub>等离子体处理；栅介质沉积步骤是将N<sub>2</sub>等离子体处理后的衬底在原位沉积栅介质。 | ||
| 地址 | 541004 广西壮族自治区桂林市金鸡路1号 | ||