| 摘要 |
<p>본 발명은 원자층 증착장치에 관한 것으로서, 챔버와; 상기 챔버 내부의 상부 영역에 설치되어 공정가스를 공급하는 가스공급유닛과; 상기 챔버 내부의 하부 영역에 설치되며, 상면에 기판이 안착된 상태에서 수평방향으로 왕복동 운동하는 기판 이동장치 및; 상기 기판의 하부에 배치되어 상기 기판에 직접 열을 전달함으로써, 기판에 대한 원자층의 증착 수율이 향상되도록 하는 히팅부를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이에 따라 기판의 아래쪽에 형성된 히팅부에 의한 직접적인 열전도에 의해 원하는 설정온도로 가열됨으로써, 열손실에 따른 에너지소비가 줄고 기판에 대한 원자층의 증착 수율이 향상되는 효과가 제공된다.</p> |
