具有收缩结构的相变存储器单元及其制造方法

摘要

一些实施例包括具有存储器单元的设备及方法，所述存储器单元具有第一电极及第二电极以及与所述第一及第二电极直接接触的存储器元件。所述存储器元件可包括可编程部分，所述可编程部分具有经配置以在多个相之间改变的材料。所述可编程部分可通过所述存储器元件的第一部分与所述第一电极隔离，且通过所述存储器元件的第二部分与所述第二电极隔离。

主权项

一种存储器装置，其包含：第一电极及第二电极；存储器元件，其与所述第一及第二电极直接接触，所述存储器元件包括可编程部分，所述可编程部分具有经配置以在多个相之间改变的材料，其中所述可编程部分通过所述存储器元件的第一部分与所述第一电极隔离，其中所述可编程部分通过所述存储器元件的第二部分与所述第二电极隔离，其中所述存储器元件包括所述第一与第二部分之间的中间材料，所述中间材料位于所述可编程部分和所述第二部分之间，或者位于所述可编程部分和所述第一部分之间，且具有低于所述第一部分、所述第二部分和所述可编程部分的电阻的电阻值，且其中所述中间材料不同于所述第一部分、所述第二部分及所述可编程部分中的每一者的材料且包括导电材料；以及绝缘材料，当所述中间材料位于所述可编程部分和所述第二部分之间时，所述绝缘材料围绕所述第一部分和所述可编程部分，且直接接触所述第一部分和所述可编程部分，或当所述中间材料位于所述可编程部分和所述第一部分之间时，所述绝缘材料围绕所述第二部分和所述可编程部分，且直接接触所述第二部分和所述可编程部分。