发明名称 |
一种以TiH<sub>2</sub>为烧结助剂的B<sub>4</sub>C基陶瓷材料及其制备方法 |
摘要 |
一种以TiH<sub>2</sub>为烧结助剂的B<sub>4</sub>C基陶瓷材料及其制备方法,属于陶瓷材料制备方法,解决以Ti粉为烧结助剂制备B<sub>4</sub>C时易产生氧化环境阻碍致密化的问题,同时解决以大添加量TiH<sub>2</sub>与B<sub>4</sub>C反应烧结制备的复相陶瓷密度大幅增加,硬度大幅减小的问题,以满足制备轻质高强材料的要求。本发明的B<sub>4</sub>C基陶瓷材料,由B<sub>4</sub>C粉末和TiH<sub>2</sub>粉末混合后烧结制成,各组分质量百分比为:B<sub>4</sub>C粉末90%~99%、TiH<sub>2</sub>粉末1%~10%。本发明的制备方法,包括混合步骤和烧结步骤。本发明所制备的陶瓷材料,具有高硬度、低密度、低电阻率、高抗弯强度和高断裂韧性,能很好的满足防护材料的各项技术指标要求,提高防护的可靠性,可进行电火花加工,具有大批量生产的潜力。 |
申请公布号 |
CN103979973B |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201410204228.2 |
申请日期 |
2014.05.15 |
申请人 |
武汉理工大学 |
发明人 |
傅正义;季伟;王为民;张金咏;张帆;王皓;王玉成;张清杰 |
分类号 |
C04B35/563(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/563(2006.01)I |
代理机构 |
武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 |
代理人 |
方放 |
主权项 |
一种以TiH<sub>2</sub>为烧结助剂的B<sub>4</sub>C基陶瓷材料,由B<sub>4</sub>C粉末和TiH<sub>2</sub>粉末混合后烧结制成,所述B<sub>4</sub>C粉末平均粒径为2微米~5微米,纯度大于99%;其特征在于:各组分质量百分比为:B<sub>4</sub>C粉末90%~99%、TiH<sub>2</sub>粉末1%~10%;所述TiH<sub>2</sub>粉末粒度小于325目,纯度大于99%。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市珞狮路122号 |