| 发明名称 | 用在先进纳米闪速存储器装置中的改进的晶体管设计 | ||
| 摘要 | 公开了用在先进纳米闪速存储器装置中的针对感测电路的改进的PMOS和NMOS晶体管设计。 | ||
| 申请公布号 | CN104969297A | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201480007677.6 | 申请日期 | 2014.01.15 |
| 申请人 | 硅存储技术公司 | 发明人 | H.Q.阮;H.V.特兰;A.利;T.吴 |
| 分类号 | G11C16/28(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;王传道 |
| 主权项 | 一种用在存储器装置中的感测电路，包括：第一电路块，耦接到选择的存储器单元，其中所述第一电路块包括P‑LDE1晶体管和一个或多个N‑LDE2晶体管；第二电路块，耦接到基准存储器单元，其中所述第二电路块包括P‑LDE1晶体管和一个或多个N‑LDE2晶体管；第三电路块，耦接到所述第一电路块和第二电路块以生成指示存储在所述选择的存储器单元中的数据的输出。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||