发明名称 POWER GATING CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT
摘要 <p>가상 전원 라인에 연결된 회로 블록을 포함하는 집적 회로의 파워 게이팅 회로는, 제1 전원 라인과 가상 전원 라인 사이에 연결되고, 제1 전원 라인에 연결된 바디를 가지는 제1 트랜지스터, 및 제2 전원 라인에 연결된 소스 및 제1 전원 라인에 연결된 바디를 가지는 제2 트랜지스터를 포함하고, 제어 신호를 버퍼링하여 제1 트랜지스터에 버퍼링된 제어 신호를 인가하는 버퍼를 포함한다. 이에 따라, 작은 사이즈의 파워 게이팅 회로를 이용하여 집적 회로의 누설 전류가 감소될 수 있다.</p>
申请公布号 KR20150112148(A) 申请公布日期 2015.10.07
申请号 KR20140035652 申请日期 2014.03.27
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 JEON, JAE HAN
分类号 H03K17/687;H03K19/0185 主分类号 H03K17/687
代理机构 代理人
主权项
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