图像传感器和图像传感器的使用方法、制造方法

摘要

一种图像传感器和图像传感器的使用方法、制造方法，所述图像传感器包括：多个像素单元，所述像素单元形成于第一隔离结构、第二隔离结构之间，所述像素单元包括：衬底；位于衬底上的第一型掺杂阱区，位于所述第一型掺杂阱区中的第二型轻掺杂区，位于所述第二型轻掺杂区中的第一型轻掺杂区、第一型重掺杂区、第二型重掺杂区，所述第一型轻掺杂区、第一型重掺杂区、第二型重掺杂区依次位于第一隔离结构和第二隔离结构之间。本发明可以改善图像滞后现象。

主权项

一种图像传感器，包括多个像素单元，所述像素单元形成于第一隔离结构、第二隔离结构之间，其特征在于，所述像素单元包括：衬底，位于衬底上的第一型掺杂阱区，位于所述第一型掺杂阱区中的第二型轻掺杂区，位于所述第二型轻掺杂区中的第一型轻掺杂区、第一型重掺杂区、第二型重掺杂区，所述第一型轻掺杂区、第一型重掺杂区、第二型重掺杂区依次位于第一隔离结构和第二隔离结构之间；所述第一型掺杂阱区为P型阱区，所述第二型轻掺杂区为N型轻掺杂区，所述第一型轻掺杂区为P型轻掺杂区，所述第一型重掺杂区为P型重掺杂区，所述第二型重掺杂区为N型重掺杂区；所述P型阱区与N型轻掺杂区交界的位置处形成第一PN结，所述P型轻掺杂区与N型轻掺杂区交界的位置处形成第二PN结；靠近P型轻掺杂区一侧的P型重掺杂区与N型轻掺杂区交界的位置处形成第三竖向PN结；所述图像传感器分为光电传感器区域和CMOS管区域，所述图像传感器还包括位于衬底上的透光介质层、设置于所述透光介质层中的遮光层，所述遮光层位于P型重掺杂区、N型重掺杂区上的CMOS管区域。