| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 目的在于提供一种制造具有优良膜特性的绝缘膜的技术。具体来说，目的在于提供一种制造具有高耐受电压的致密绝缘膜的技术。此外，目的在于提供一种制造具有极少电子陷阱的绝缘膜的技术。在包含氧的气氛中、电子密度为1×10<sup>11</sup>cm<sup>-3</sup>或以上以及电子温度为1.5eV或以下的条件下，使含氧绝缘膜经过使用高频的等离子体处理。 | ||
| 申请公布号 | CN102332471B | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201110320976.3 | 申请日期 | 2007.05.16 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 挂端哲弥;田中哲弘;浅见良信 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张金金;朱海煜 |
| 主权项 | 一种非易失性半导体存储器装置，包括：基底绝缘膜；半导体膜，其具有位于一对杂质区域之间的沟道形成区域；浮栅电极，其隔着第一绝缘膜设置在所述半导体膜之上；以及控制栅电极，其隔着第二绝缘膜设置在所述浮栅电极之上，其中所述半导体膜设置在所述基底绝缘膜之上，其中所述第一绝缘膜具有与所述半导体膜接触的第一区域和与所述基底绝缘膜接触的第二区域，其中所述第一绝缘膜的所述第一区域比所述第一绝缘膜的所述第二区域厚，其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的每个包含氧，并且其中通过二次离子质谱法，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的每个的氢浓度为5×10<sup>19</sup>原子/cm<sup>3</sup>或以下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||