发明名称 | 等离激元传感器及其使用方法和制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种等离激元传感器及其使用方法和制造方法。等离激元传感器包括第1金属层和第2金属层。第1金属层具有下表面和构成为被供给电磁波的上表面。第2金属层具有与第1金属层的下表面对置的上表面。在第1金属层与第2金属层之间设置构成为被含有介质的试样填充的中空区域。在第1金属层的下方和第2金属层的上方中的至少一方物理吸附有多个分析物捕获体。 | ||
申请公布号 | CN102884415B | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
申请号 | CN201180023132.0 | 申请日期 | 2011.05.09 |
申请人 | 松下知识产权经营株式会社 | 发明人 | 田村昌也;加贺田博司;冈弘章;福岛奖 |
分类号 | G01N21/27(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/27(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
主权项 | 一种等离激元传感器,具备:第1金属层,其具有构成为被供给电磁波的上表面和下表面;和第2金属层,其具有与上述第1金属层的上述下表面对置的上表面,在上述第1金属层与上述第2金属层之间设置构成为被含有介质的试样填充的中空区域,向上述第1金属层的上述上表面供给的电磁波透过上述第1金属层后从上述第1金属层的上述下表面被导入上述中空区域,在上述第1金属层的下方和上述第2金属层的上方中的至少一方物理吸附了多个分析物捕获体,通过填充到上述中空区域中的上述试样,被物理吸附的上述分析物捕获体从上述第1金属层或上述第2金属层的至少一方脱离,漂浮在上述中空区域内。 | ||
地址 | 日本国大阪府 |