发明名称 等离激元传感器及其使用方法和制造方法
摘要 本发明提供一种等离激元传感器及其使用方法和制造方法。等离激元传感器包括第1金属层和第2金属层。第1金属层具有下表面和构成为被供给电磁波的上表面。第2金属层具有与第1金属层的下表面对置的上表面。在第1金属层与第2金属层之间设置构成为被含有介质的试样填充的中空区域。在第1金属层的下方和第2金属层的上方中的至少一方物理吸附有多个分析物捕获体。
申请公布号 CN102884415B 申请公布日期 2015.10.07
申请号 CN201180023132.0 申请日期 2011.05.09
申请人 松下知识产权经营株式会社 发明人 田村昌也;加贺田博司;冈弘章;福岛奖
分类号 G01N21/27(2006.01)I 主分类号 G01N21/27(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种等离激元传感器,具备:第1金属层,其具有构成为被供给电磁波的上表面和下表面;和第2金属层,其具有与上述第1金属层的上述下表面对置的上表面,在上述第1金属层与上述第2金属层之间设置构成为被含有介质的试样填充的中空区域,向上述第1金属层的上述上表面供给的电磁波透过上述第1金属层后从上述第1金属层的上述下表面被导入上述中空区域,在上述第1金属层的下方和上述第2金属层的上方中的至少一方物理吸附了多个分析物捕获体,通过填充到上述中空区域中的上述试样,被物理吸附的上述分析物捕获体从上述第1金属层或上述第2金属层的至少一方脱离,漂浮在上述中空区域内。
地址 日本国大阪府