半导体构造及形成存储器单元的方法

摘要

一些实施例包含具有含有电介质材料之上的导电材料的堆叠的半导体构造。可编程材料结构沿所述堆叠的侧壁表面与所述导电材料及所述电介质材料两者直接相抵。电极材料与所述堆叠的所述导电材料电耦合。一些实施例包含形成存储器单元的方法，在所述存储器单元中沿含有导电材料及电介质材料的堆叠的侧壁表面形成可编程材料板。

主权项

一种半导体构造，其包括：沿第一电极之上的高度界定结构的侧壁表面的电阻性材料结构，所述高度界定结构包括在电介质材料之上堆叠的第一导电材料，所述电阻性材料结构与所述高度界定结构的所述第一导电材料及所述电介质材料两者直接相抵；以及第二电极，其电耦合到所述高度界定结构的所述第一导电材料。