| 发明名称 | 氯硅烷类的纯化方法 | ||
| 摘要 | 本发明的氯硅烷类的纯化方法具备氢化工序(101)和/或氯化工序(102)、杂质转化工序(103)、纯化工序(104)至少三个工序。杂质转化工序(103)中，添加由通式Ar-R-CHO(Ar为取代或未取代的芳基，R为碳原子数2以上的有机基团)表示的醛化合物，使氯硅烷类馏出物中含有的施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质。将使施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质后的氯硅烷类馏出物送至纯化工序(104)。纯化工序(104)中，通过使用蒸馏塔等从塔顶部回收到体系外，得到充分除去施主杂质和受主杂质后的高纯度氯硅烷类。由此使氯硅烷类馏出物中的施主杂质和受主杂质的含量降低。 | ||
| 申请公布号 | CN103201218B | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201180052072.5 | 申请日期 | 2011.09.02 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 长谷川正幸;殿村洋一;久保田透;青山武;田中秀二 |
| 分类号 | C01B33/107(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 金龙河;穆德骏 |
| 主权项 | 一种氯硅烷类的纯化方法，其特征在于，具备下述(A)～(C)工序：(A)氢化工序，在金属级硅存在下使以四氯硅烷为主要成分的氯硅烷类与氢气反应而得到含有三氯硅烷的氯硅烷类馏出物；或氯化工序，使金属级硅与氯化氢反应而得到含有三氯硅烷的氯硅烷类馏出物；(B)杂质转化工序，在由通式Ar‑R‑CHO表示的醛化合物存在下，对所述(A)氢化工序或氯化工序中得到的氯硅烷类馏出物进行处理，使所述氯硅烷类馏出物中含有的施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质，在此，所述通式中，Ar为取代或未取代的芳基，R为碳原子数2以上的有机基团；以及(C)纯化工序，从经过所述杂质转化工序的氯硅烷类馏出物中分离出电子材料级氯硅烷类并回收到体系外，所述由通式Ar‑R‑CHO表示的醛化合物由下述结构式表示，在此，下述结构式中，Ar为取代或未取代的芳基，R1和R2为氢原子或碳原子数1以上且20以下的烃基，<img file="FDA0000686946610000011.GIF" wi="431" he="260" /> | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||