| 发明名称 | 一种碳化硅外延炉 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开一种碳化硅外延炉，包括顶盖和反应室；顶盖包括外盖，上顶盖、下顶盖、锁扣和第一测温系统，上顶盖和下顶盖通过锁扣固定在外盖上，反应室包括第二测温系统、一个大盘基座、若干个小盘基座、盖片和支架，盖片通过支架安装在大盘基座中间，小盘基座设于大盘基座上并分布在盖片周围，第二测温系统的测温点设于大盘基座底部，第一测温系统的测温点设在小盘基座上；顶盖上设有测温孔，测温孔设在小盘基座上方，测温孔贯穿外盖、上顶盖和下顶盖；本实用新型实现碳硅化合物的有效去除，便于碳化硅外延炉的维护，提升碳化硅外延生长工艺的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN204690164U | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201520024787.5 | 申请日期 | 2015.01.14 |
| 申请人 | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 | 发明人 | 李奕洋;冯淦;赵建辉 |
| 分类号 | C30B25/08(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人 | 曾少丽 |
| 主权项 | 一种碳化硅外延炉，其特征在于：包括顶盖和反应室；顶盖包括外盖，上顶盖、下顶盖、锁扣和第一测温系统，上顶盖和下顶盖通过锁扣固定在外盖上，反应室包括第二测温系统、一个大盘基座、若干个小盘基座、盖片和支架，盖片通过支架安装在大盘基座中间，小盘基座设于大盘基座上并分布在盖片周围，第二测温系统的测温点设于大盘基座底部，第一测温系统的测温点设在小盘基座上；顶盖上设有测温孔，测温孔设在小盘基座上方，测温孔贯穿外盖、上顶盖和下顶盖。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市湖里区厦门火炬高新区创业园创业大厦425室 | ||