具有防止逆向工程特性的半导体器件

摘要

ROM电路包括：第一N沟道晶体管，其具有输出以及适于当P沟道电路连接到第一N沟道晶体管时以预定电平对输出进行偏置的器件几何形状和器件特性；传输晶体管，其连接在输出端和数据总线之间，该传输晶体管连接到字线，该字线适于当字线被断言时导通传输晶体管；以及P沟道电路，其连接到数据总线并且适于当传输晶体管被导通时提供泄漏电流从而为第一N沟道晶体管的栅极充电。

主权项

一种ROM电路，包括：第一N沟道晶体管，所述第一N沟道晶体管具有输出，并且具有下述器件几何形状和器件特性，所述器件几何形状和器件特性适于当P沟道电路连接至所述第一N沟道晶体管时以预定电平偏置所述输出；传输晶体管，所述传输晶体管连接在所述输出和数据总线之间，所述传输晶体管连接至字线，所述字线适于当所述字线被断言时导通所述传输晶体管；以及所述P沟道电路，所述P沟道电路连接至所述数据总线，并且适于当传输晶体管被导通时提供泄漏电流以充电所述第一N沟道晶体管中的栅极。