| 摘要 |
고에너지선 또는 열에 감응하고, 일반식 (1)로 표시되는 술폰산을 발생시키는 광산 발생제를 포함하는 화학 증폭형 레지스트 재료.(R은 방향환 또는 탄소수 5 이상의 지환식 탄화수소 구조를 갖는 1가의 탄화수소기. R'는 H 또는 트리플루오로메틸기. A는 에스테르 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 아미드 결합, 카르보네이트 결합 중 어느 하나를 나타낸다. n은 1∼3의 정수.) 본 발명의 광산 발생제로부터 발생하는 산은, 술포네이트에 부피가 큰 고리식 구조로 산 확산을 억제하면서, 직쇄상 탄화수소기의 존재에 의해 적절한 기동성도 갖고 있기 때문에, 적절한 산 확산 거동을 나타낸다. 또한, 레지스트 재료중의 수지류와의 상용성도 좋고, 이들 술폰산을 발생시키는 광산 발생제는 디바이스 제작 공정에 문제없이 사용할 수 있으며, 해상 성능, LWR, 노광 여유도라는 문제도 해결할 수 있다. |
