发明名称 硅基板的洗净方法和太阳能电池的制造方法
摘要 包括:用含有金属离子的、氧化剂和氢氟酸的混合水溶液蚀刻硅基板的表面,在上述硅基板的表面形成多孔层的第1工序;用以氢氟酸和硝酸为主的混酸蚀刻上述多孔层的孔,在上述硅基板的表面形成纹理的第2工序;用碱药液蚀刻形成了上述纹理的硅基板的表面的第3工序;和用含有臭氧的水处理采用上述碱药液蚀刻的硅基板,在形成于该硅基板的上述孔的内部产生气泡,将上述孔的内部的金属和有机物的杂质除去的第4工序。
申请公布号 CN103189966B 申请公布日期 2015.10.07
申请号 CN201280003421.9 申请日期 2012.03.15
申请人 三菱电机株式会社 发明人 西本阳一郎;安永望;松田高好
分类号 H01L21/306(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L31/04(2014.01)I 主分类号 H01L21/306(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 李英
主权项 硅基板的洗净方法,其特征在于,包括:采用含有金属离子的、氧化剂和氢氟酸的混合水溶液蚀刻硅基板的表面,在上述硅基板的表面形成多孔层的第1工序;采用以氢氟酸和硝酸为主的混酸蚀刻上述多孔层,在上述硅基板的表面形成纹理的第2工序;采用碱药液蚀刻形成了上述纹理的硅基板的表面的第3工序;和用含有臭氧的水对采用上述碱药液蚀刻的硅基板进行处理,在该硅基板形成的上述孔的内部产生气泡,将上述孔的内部的金属和有机物的杂质除去的第4工序,在上述第4工序中,在通过使臭氧气体在水中加压溶解而调制的上述含有臭氧的水中将上述硅基板浸渍的状态下,通过将上述含有臭氧的水减压,从而在上述多孔层的上述孔的内部产生气泡。
地址 日本东京