一种高阻隔薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种高阻隔薄膜制备的方法，其技术方案为，首先将基材放置于基片台或绕于电极辊上，并对反应室抽真空，之后对基材进行表面活性处理，然后通入有机硅化合物蒸气和含氧气体等成膜气体并调节气压，再开启粉尘粒子清除装置的电源并调节施加于捕集电极上的电压，之后开启射频电源功率开关并调节馈入功率，开始碳氧化硅薄膜沉积，至得到柔性透明超高阻隔碳氧化硅薄膜样品，最后关闭射频电源，停止成膜气体的通入，再关闭粉尘粒子清除装置的电源，停止真空抽气，待真空腔室放气完成后，取出样品。本发明可实现碳氧化硅薄膜无污染的制备，具有制备工艺简单，薄膜沉积速率高，有利于实现大规模工业化生产等优点。

主权项

一种高阻隔薄膜的制备方法,包括下述工艺步骤：（1）将基材放置于基片台或绕于电极辊上，并对反应室抽真空至1×10^‑2 Pa以下；（2）使用Ar或O₂等离子体对基材表面进行活性处理；（3）使用等离子体对成膜气体进行化学气相沉积，在基材上沉积高阻隔层，得到柔性透明高阻隔薄膜，其特征在于, 所述高阻隔薄膜光透过率80%以上；所述等离子体化学气相沉积时在真空室内使用粉尘粒子清除装置，并在通入成膜气体后、开启射频电源之前，开启粉尘粒子清除装置；所述粉尘粒子清除装置为包含至少一个捕集粉尘粒子的电极、控制捕集电极电位的电源和电路、粉尘粒子存储及将被捕集的粉尘粒子排除真空腔外的装置。