| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 形成一种焊盘，其中，为了防止在焊盘下的层间绝缘膜中产生因冲击所导致的裂纹，在第一金属膜(12)与最上层的第2金属膜(15)之间配置有小径金属塞柱(14a)和大径金属塞柱(14b)，并在大径金属塞柱(14b)上方的第二金属膜(15)的表面上设置有凹部(17)。 | ||
| 申请公布号 | CN104969334A | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201480007251.0 | 申请日期 | 2014.01.09 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 山本祐广 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其具有焊盘，该半导体装置的特征在于，该半导体装置具备：第一层间绝缘膜上的第一金属膜；所述第一金属膜上的第二层间绝缘膜；金属塞柱，其贯通所述第二层间绝缘膜而形成；以及所述焊盘，其由以经由所述金属塞柱进行电连接的方式设置在所述第二层间绝缘膜上的第二金属膜构成，所述金属塞柱包括大径的第一金属塞柱，所述第二金属膜进入到所述第一金属塞柱中，由此在所述第一金属塞柱正上方的所述焊盘的表面上形成有凹部。 | ||
| 地址 | 日本千叶县 | ||