氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器及制备方法

摘要

本发明是氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器及制备方法，用具有悬臂梁开关的MESFET代替传统的MESFET。该交叉耦合振荡器的悬臂梁开关的下拉电极接地，设计两个悬臂梁开关MESFET的阈值电压相等，悬臂梁开关MESFET的阈值电压和它的悬臂梁下拉电压相等，当悬臂梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压的绝对值，所以悬臂梁开关被下拉到栅极上，悬臂梁开关与栅极紧贴，同时栅极与源极间的电压也大于阈值电压，所以MESFET导通。当MESFET的悬臂梁开关和下拉电极板之间的电压小于阈值电压，悬臂梁开关是悬浮在栅极上方，处于截止。该GaN基低漏电流悬臂梁开关MESFET的交叉耦合振荡器产生稳定振荡，从而降低该交叉耦合振荡器工作时的功耗。

主权项

一种氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器，其特征是该振荡器包括第一悬臂梁N型MESFET(1)、第二悬臂梁N型MESFET(2)、LC谐振回路和恒流源(15)组成，该交叉耦合振荡器中的第一悬臂梁N型MESFET(1)和第二悬臂梁N型MESFET(2)都是制作在半绝缘GaN衬底(3)上，其输入引线(4)是利用金制作,N型MESFET栅极(5)与有源层形成肖特基接触，在栅极(5)上方设计了悬臂梁(6)，悬臂梁(6)下方的锚区(7)制作在半绝缘GaN衬底(3)上，在每个悬臂梁(6)下方设计了两个电极板(8)，电极板(8)的上表面覆盖有氮化硅层(9)，电极板(8)接地，第一悬臂梁N型MESFET(1)和第二悬臂梁N型MESFET(2)的源极连在一起并与恒流源相连，恒流源另一端接地，第一悬臂梁N型MESFET(1)的漏极(10)通过引线(14)，锚区(7)与第二悬臂梁N型MESFET(2)的悬臂梁(6)相连，第二悬臂梁N型MESFET(2)的漏极(10)通过引线(14)，锚区(7)与第一悬臂梁N型MESFET(1)的悬臂梁(6)相连形成交叉耦合结构，LC谐振回路接在第一悬臂梁N型MESFET(1)的漏极(10)和第二悬臂梁N型MESFET(2)的漏极(10)之间。