| 发明名称 | 一种射频LDMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种射频LDMOS器件及其制造方法。本发明的主要方法为在器件漏端N型轻掺杂区中引入了氧化层区，通过对该氧化层区长度、厚度以及位置的调节，可以在保证不影响器件击穿电压和导通电阻的同时，降低漂移区的等效介电常数，从而降低器件的栅漏电容，提高器件的频率特性。本发明尤其适用于LDMOS器件及其制造。 | ||
| 申请公布号 | CN104966736A | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201510290535.1 | 申请日期 | 2015.06.01 |
| 申请人 | 电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院 | 发明人 | 邓小川;甘志;梁坤元;张晓菲;萧寒;李妍月;唐亚超;张波 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人 | 葛启函 |
| 主权项 | 一种射频LDMOS器件，包括P型衬底(101)和位于P型衬底(101)上表面的P型外延层(102)；所述P型外延层两侧具有P+sinker(103)和N型轻掺杂区(107)，所述P+sinker(103)和N型轻掺杂区(107)之间具有P型阱区(106)；所述P型阱区(106)上层具有第一N型重掺杂区(108)，所述第一N型重掺杂区(108)与P+sinker(103)的侧面连接；所述N型轻掺杂区(107)上层远离P型阱区(106)的一侧具有第二N型重掺杂区(109)；所述P型阱区(106)上表面具有栅氧化层(104)，所述栅氧化层(104)上表面具有多晶硅栅(105)，栅氧化层(104)和多晶硅栅(105)构成栅极结构；所述栅极结构上表面及与N型轻掺杂区(107)相连的侧面具有第一氧化层(110)，所述第一氧化层(110)沿N型轻掺杂区(107)的上表面向靠近第二N型重掺杂区(109)的方向延伸；所述第一氧化层(110)上表面具有金属层(111)；其特征在于，所述N型轻掺杂区(107)中具有第二氧化层(201)。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||