发明名称 一种过温保护电路
摘要 本发明公开了一种过温保护电路,包括:恒定电流产生电路,输出控制电路,输出整形电路,NPN晶体管Q0为控制开关管,滞回控制管M4管既可以为NMOS管也可以为PMOS管,通过过温后引入额外的电流实现温度的滞回,且可以通过调节M4管的宽长比设置滞回温度的大小,本发明提出的过温保护电路结构简单,无需任何高精度的电压比较器,所用器件数量少,输出精度高,能准确的在热关断温度阈值点产生关断信号,便于调试,且具有温度滞回功能,滞回温度设置灵活,防止热振荡现象的产生,非常适合于在电源和驱动电路等芯片中使用。
申请公布号 CN104967094A 申请公布日期 2015.10.07
申请号 CN201510454508.3 申请日期 2015.07.29
申请人 电子科技大学 发明人 乔明;陈钢;李妍月;李阳;张波
分类号 H02H5/04(2006.01)I 主分类号 H02H5/04(2006.01)I
代理机构 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人 敖欢;葛启函
主权项 一种过温保护电路,其特征在于,包括:恒定电流产生电路,输出控制电路,输出整形电路,其中,所述的恒定电流产生电路包括:第二电阻R2、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2,其中第二电阻R2的一端与电源电压VCC相连,第二NMOS管MN2的栅极与漏极相连,并且与第二电阻R2的另一端和第三NMOS管MN3的栅极相连,第一PMOS管MP1的栅极和漏极相连,并与第二PMOS管MP2的栅极相连,第一PMOS管MP1的漏极和第三NMOS管MN3的漏极相连,第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2的源极接电源电压,第二NMOS管MN2和第三NMOS管MN3的源极接地电位;所述的输出控制电路包括:第一电阻R1、第五NMOS管MN5、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、滞回控制管M4和NPN晶体管Q0,其中,第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4和第五PMOS管MP5的栅极均与第二PMOS管MP2的栅极相连,第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4和第五PMOS管MP5的源极与电源电压VCC相连,第五NMOS管MN5的漏极与第五PMOS管MP5的漏极相连,第五NMOS管MN5的源极与地电位相连;所述的输出整形电路包括:第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第六PMOS管MP6和第七PMOS管MP7,第六PMOS管MP6的栅极和第六NMOS管MN6的栅极相连,并和第五NMOS管MN5的漏极相连,第七PMOS管MP7的栅极和第七NMOS管MN7的栅极相连,并分别和第六PMOS管MP6和第六NMOS管MN6的漏极相连,第七PMOS管MP7的漏极和第七NMOS管MN7的漏极相连,并作为过温保护电路的输出端,第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7的源极和电源电压相连,第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7的源极和地电位相连。
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