发明名称 混杂MOS光调制器
摘要 混杂MOS光调制器。该光调制器包括光波导、包含第一材料并且在该光波导中形成的阴极、以及包含不同于第一材料的第二材料并且在该光波导中形成的阳极,该阳极邻接于阴极,在该阳极和该阴极之间限定电容器。
申请公布号 CN104969103A 申请公布日期 2015.10.07
申请号 CN201280072086.8 申请日期 2012.04.30
申请人 惠普发展公司,有限责任合伙企业 发明人 梁迪
分类号 G02B6/12(2006.01)I;G02F1/025(2006.01)I 主分类号 G02B6/12(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 康泉;王珍仙
主权项 混杂MOS光调制器,其包括:光波导;阴极,包含第一材料并且在所述光波导中形成;以及阳极,包含不同于所述第一材料的第二材料并且在所述光波导中形成,所述阳极邻接所述阴极,电容器在所述阳极和所述阴极之间限定。
地址 美国德克萨斯州