| 摘要 |
パターン形成されたヘテロジニアス構造上で露出されたケイ素‐窒素‐及び炭素含有材料をエッチングする方法が、記載され、本方法は、フッ素含有前駆体及び酸素含有前駆体から形成される遠隔プラズマエッチングを含む。遠隔プラズマからのプラズマ流出物が、基板処理領域の中に流され、そこでプラズマ流出物は、ケイ素‐窒素‐及び炭素含有材料の露出された領域と反応する。プラズマ流出物は、パターン形成されたヘテロジニアス構造と反応し、露出されたケイ素‐窒素‐及び炭素含有材料領域からケイ素‐窒素‐及び炭素含有材料を選択的に除去する一方、選択された他の露出された材料を非常にゆっくりと除去する。ケイ素‐窒素‐及び炭素含有材料の選択性は、遠隔プラズマと基板処理領域の間に配置されるイオン抑制要素の存在に、一部は起因する。イオン抑制要素は、基板に到達するイオン性荷電種の数を制御する。本方法は、露出された酸化ケイ素又は露出された窒化ケイ素より速い速度でケイ素‐窒素‐及び炭素含有材料を選択的に除去するために用いられうる。【選択図】図１ |
