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<p>L'invention concerne un dispositif (10) de mémoire vive résistive comportant : - une première électrode (1 1) en matériau inerte ; - une deuxième électrode (17) en matériau soluble ; - un électrolyte solide (12), les première et deuxième électrodes (11, 17) étant respectivement en contact avec l'une des faces de l'électrolyte (12) de part et d'autre dudit électrolyte, la deuxième électrode (17) étant apte à fournir des ions mobiles (15) circulant dans l'électrolyte solide (12) vers la première électrode (11) pour former un filament conducteur entre les première et deuxième électrodes lorsqu'une tension est appliquée entre les première et deuxième électrodes ; l'électrolyte solide (12) comportant une région réalisée en un oxyde d'un premier métal, dit « premier oxyde métallique », ladite région étant dopée par un deuxième métal, distinct du premier métal et apte à former un deuxième oxyde métallique, ledit deuxième métal étant choisi de sorte que le premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal présente une énergie de bande interdite inférieure ou égale à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique non dopé par le deuxième métal.</p> |
