| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine EUV-Lichtquelle für eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei die EUV-Lichtquelle eine Elektronenquelle (110) zum Erzeugen eines Elektronenstrahls, eine Beschleuniger-Einheit (120) zum Beschleunigen dieses Elektronenstrahls sowie eine Undulator-Anordnung (100) zur Erzeugung von EUV-Licht durch Ablenkung des Elektronenstrahls aufweist, wobei diese Undulator-Anordnung (100) einen ersten Undulator (101) zur Erzeugung von EUV-Licht mit einem ersten Polarisationszustand und wenigstens einen zweiten Undulator (102) zur Erzeugung von EUV-Licht mit einem zweiten Polarisationszustand aufweist, wobei der zweite Polarisationszustand von dem ersten Polarisationszustand verschieden ist, wobei der zweite Undulator (102) entlang der Ausbreitungsrichtung des Elektronenstrahls nach dem ersten Undulator (101) angeordnet ist, und wobei die Undulator-Anordnung (100) derart konfiguriert ist, dass diese einen ersten Betriebsmodus, in welchem sich der erste Undulator (101) hinsichtlich der Erzeugung von EUV-Licht in Sättigung befindet, und wenigstens einen zweiten Betriebsmodus aufweist, in welchem sich der erste Undulator (101) hinsichtlich der Erzeugung von EUV-Licht nicht in Sättigung befindet. |
