发明名称 极紫外线微影方法;METHOD FOR EXTREME ULTRA-VIOLET LITHOGRAPHY
摘要 本发明提供之极紫外线微影方法的一实施例。上述方法包括将光罩承载至微影系统。光罩包括缺陷修补区,并定义一积体电路(IC)图案于其上。上述方法亦包括在依据IC图案之照射模式中设定微影系统的照射器,及依据照射模式设置光瞳滤光器于微影系统中。上述方法在照射模式中,以微影系统搭配光罩与光瞳滤光器进行微影曝光制程至目标。
申请公布号 TW201537308 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW103146489 申请日期 2014.12.31
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 卢彦丞 LU, YEN CHENG;游信胜 YU, SHINN SHENG;陈政宏 CHEN, JENG HORNG;严 涛南 YEN, ANTHONY
分类号 G03F7/20(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW
您可能感兴趣的专利