光敏化学增幅型光阻材料及使用该光阻材料之图案形成方法、半导体器件、光微影用光罩，以及奈米压印用模板;PHOTOSENSITIZED CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST MATERIAL AND PATTERN FORMATION METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE,PHOTOLITHOGRAPHY MASK AND NANO-PRINTING TEMPLATE USING THE SAME

摘要

本发明提供一种光敏化学增幅型光阻材料及使用该光敏化学增幅型光阻材料之图案形成方法、半导体器件、光微影用光罩、以及纳米压印用模板。本发明之光敏化学增幅型光阻材料使用于二段曝光光微影程序，且包含：(1)能够显影之基础成份；及(2)藉由曝光产生光敏剂和酸之成份。上述成份仅含有(a)酸-光敏剂产生剂、(b)光敏剂前驱体及(c)光酸产生剂该3种成份中之(a)成份，或者含有任意2种成份，或者含有(a)至(c)成份的全部。