| 主权项 |
一种带有增强型上部接头结构的半导体结型势垒肖特基二极体，参照X-Y-Z笛卡尔坐标系，该结型势垒肖特基二极体包含：一半导体基板，其主平面平行于X-Y平面；一主动装置区，在该半导体基板上方，具有一内置的结型势垒肖特基二极体，其主装置电流平行于Z-轴；一外围保护区，在该半导体基板上方，位于该主动装置区附近并包围该主动装置区，该外围保护区结构用于提高该内置的结型势垒肖特基二极体的击穿电压；该主动装置区包括一主动下部半导体结构以及一位于该主动下部半导体结构之上的增强型主动上部接头结构，该主动下部半导体结构和该增强型上部接头结构之间的结构构成该结型势垒肖特基二极体；该增强型上部接头结构包含：一顶部接触金属，向下延伸并与该增强型上部接头结构的底部电传导；以及一嵌入底部支撑结构，嵌入该顶部接触金属内，该嵌入底部支撑结构更向下延伸到该增强型上部接头结构底部；
以至于在该结型势垒肖特基二极体的后续封装时，在该顶部接触金属上产生向下的机械接合力，那麽该嵌入底部支撑结构将用于加强该增强型上部接头结构抵御该顶部接触金属的细微破裂，降低该内置的结型势垒肖特基二极体的漏电流。
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