DAMASCENE-TYPE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE COMPRISING HORIZONTAL AND VERTICAL PORTIONS AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

특정한 예시적인 실시형태에서, 디바이스 기판 위에 금속 레이어를 형성하는 단계, 금속 레이어와 접촉하여 비아를 형성하는 단계, 및 비아 위에 유전체 레이어를 부가하는 단계를 포함하는 반도체 디바이스를 제조하는 방법이 기재된다. 방법은, 트렌치 영역을 형성하기 위해 유전체 레이어의 일부를 에칭하는 단계, 및 트렌치 영역 내에 수직 자기 터널 접합(MTJ) 구조를 증착시키는 단계를 더 포함한다.