半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

提供一种可用于电晶体的半导体等的氧化物的制造方法。尤其是，提供一种晶界等缺陷少的氧化物的制造方法。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：氧化物半导体；绝缘体；以及导电体，其中，氧化物半导体包括氧化物半导体与导电体隔着绝缘体彼此重叠的区域，并且，氧化物半导体包含等效圆直径为1nm以上的晶粒和等效圆直径小于1nm的晶粒。