| 主权项 |
一种在接点之上形成电容器单元之方法，包含下列步骤：在被配置在一半导体基材之上的一层间介质(ILD)结构中形成一电容器单元空腔，其中该电容器单元空腔具有一底部及一侧壁，且其中该半导体基材包含一记忆体区及一逻辑区；在该电容器单元空腔中将一底电极形成至一第一高度，其中该底电极在该电容器单元空腔底部耦合到一位元线接点；以一牺牲填充材料填满该电容器单元空腔，其中该牺牲填充材料亦覆盖该记忆体区及该逻辑区；平坦化该牺牲填充材料，而自该逻辑区去除该牺牲填充材料；将该底电极自该第一高度凹入到一第二高度，以藉由同样地在该电容器单元空腔中凹入该牺牲填充材料而形成一框边；自该电容器单元空腔去除剩余的牺牲填充材料；在该底电极之上形成一电容器介电层，其中该电容器介电层在该框边上呈现一肩部形状因数；在该电容器单元空腔中且在该电容器介电层之上形成一电容器顶电极；以及将该电容器顶电极向下研磨到高于该框边的一水平面，
其中形成该底电极之该步骤包含下列步骤：将一铜薄膜以保形方式沈积到该电容器单元空腔中。
|
