| 发明名称 |
透明化合物半導体及びその製造方法 |
| 摘要 |
本発明は、透明化合物半導体及びその製造方法に関し、透明で且つ安定性と電荷移動度が高い透明化合物半導体を提供するためのものである。本発明による透明化合物半導体は、Ｂａ１−ＸＬａＸＳｎＯ３（０＜ｘ＜０．１）の組成を有し、１０ｃｍ２／Ｖ ｓｅｃ以上の電荷移動度を有する。 |
| 申请公布号 |
JP2015529002(A) |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
| 申请号 |
JP20150504502 |
申请日期 |
2013.04.05 |
| 申请人 |
アールエフトロン カンパニー リミテッドＲＦＴＲＯＮ ＣＯ．，ＬＴＤ． |
发明人 |
チャ・ククリン;イム・ジソン |
| 分类号 |
H01L29/24;C23C14/08;C23C16/40;C30B29/22;H01L21/20;H01L21/363;H01L21/365 |
主分类号 |
H01L29/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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