| 摘要 |
Eine Ausführungsform integriert einen Speicher, wie einen ein Spin-Torque Transfer-Magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher (STT-MRAM) innerhalb eines Logikchips. Der STT-MRAM umfasst einen Magnettunnelkontakt (MTJ) mit einer oberen MTJ0-Schicht, einer unteren MTJ-Schicht und einer Tunnelbarriere, welche die obere MTJ-Schicht und die untere MTJ-Schicht direkt kontaktiert, wobei die obere MTJ-Schicht eine obere MTJ-Schichtseitenwand umfasst und die untere MTJ-Schicht eine untere MTJ-Seitenwand umfasst, die gegenüber der der oberen MTJ-Schicht horizontal versetzt ist. Eine weitere Ausführungsform umfasst einen Speicherbereich, der einen MTJ und einen Logikbereich auf einem Substrat umfasst, wobei eine Horizontalebene den MTJ, ein erstes Inter-Layer-Dielectric-(ILD)-Material, das zum MTJ benachbart ist, und ein zweites ILD-Material, das im Logikbereich aufgenommen ist, kreuzt, wobei das erste und zweite ILD-Material ungleich sind. In einer Ausführungsform kontaktieren sich das erste und zweite ILD-Material direkt. Andere Ausführungsformen werden vorliegend auch beschrieben. |
