绝缘层覆矽基底及其形成方法;HANDLE WAFER FOR HIGH RESISTIVITY TRAP-RICH SOI

摘要

本揭露系关于具有富阱层之绝缘层覆矽基底及其相关形成方法，其中富阱层包括结晶缺陷且设置于操作晶圆中。在一些实施例中，此绝缘层覆矽基底具有操作晶圆。富阱层系设置于操作晶圆中，其位于毗接操作晶圆之一顶表面处，并具有多个用以捕捉载子之结晶缺陷。绝缘层，具有毗接操作晶圆顶表面之第一侧及毗接主动矽薄层之相反的第二侧。藉由将富阱层形成于操作晶圆中，可降低沉积富阱层材料(例如：多晶矽)于操作晶圆上之相关制造成本，并避免热不稳定性问题。