| 发明名称 | 结合式氧化矽蚀刻及污染物移除程序 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI502640 | 申请公布日期 | 2015.10.01 |
| 申请号 | TW101135634 | 申请日期 | 2012.09.27 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 葛罗德 理查Ｈ;梅瑟 布雷兹;库马 寇西克 |
| 分类号 | H01L21/306 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 代理人 | 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 | |
| 主权项 | 一种半导体装置的形成方法，该方法包含：设置含有一第一材料及由该第一材料所包藏之一第二材料的一基板；使用一第一非电浆蚀刻制程蚀刻该第一材料，该第一非电浆蚀刻制程以相对高于蚀刻该第二材料之速率的蚀刻速率蚀刻该第一材料，俾暴露覆于该第一材料之至少一部分上方之该第二材料；使用含有一反应性气体之一电浆蚀刻该第二材料，俾暴露该第一材料之该至少一部分；及藉由一第二非电浆蚀刻制程蚀刻该第一材料、包含藉由蚀刻该第二材料所暴露的该第一材料之该至少一部分。 | ||
| 地址 | 日本 | ||