TUNGSTEN SALICIDE GATE SOURCE FOR VERTICAL NAND STRING TO CONTROL ON CURRENT AND CELL PILLAR FABRICATION

摘要

비휘발성 메모리 디바이스 및 비휘발성 메모리 디바이스를 형성하기 위한 방법이 개시된다. 메모리 디바이스의 제조 동안, 텅스텐 살리사이드는 고종횡비를 갖는 채널 필러들을 형성하기 위해 통상적으로 사용되는 알루미늄 산화물 대신에 에치 정지층으로서 활용된다. 텅스텐 살리사이드의 이용은 Al 산화물 에치 정지층이 통상적으로 사용될 때 형성되는 바람직하지 않은 에치 정지 리세스와 바람직하지 않은 플로팅 게이트를 제거하는데 유용하다.