| 摘要 |
반도체 장치에 있어서 장치의 기판을 통하여 연장되는 쓰루 홀 비아가 탄소 함유 물질을 기반으로 하여 형성될 수 있음으로써, 도핑된 반도체 물질 등과 비교하여 우월한 전기적 성능이 제공될 수 있는 동시에, 고온 공정들과의 탁월한 호환성이 제공될 수 있다. 따라서, 일부 예시적인 실시예들에서는, 결정적인 회로 소자들을 형성하기 위해 이용되는 어떤 공정 단계들 전에 쓰루 홀 비아가 형성될 수도 있음으로써, 쓰루 홀 비아 구조와 해당 반도체 장치의 장치 레벨과의 어떠한 간섭도 실질적으로 피할 수 있다. 결과적으로, 매우 효율적인 삼차원 집적 방식이 실현될 수 있다. |
