发明名称 半导体发光装置
摘要 本发明提供一种可提高向设有电极侧之相反侧之光提取效率之半导体发光装置。;一实施形态之半导体发光装置于半导体层之第1侧、及晶片外周部之第2绝缘膜上,设有对发光层之放射光具有透过性之光学层。于半导体层之第1侧设置复数个凸部与复数个凹部,且凸部之顶部较晶片外周部之光学层之第2绝缘膜侧之端更位于第2侧。
申请公布号 TW201537780 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW103124605 申请日期 2014.07.17
申请人 东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 藤村一夫 FUJIMURA, KAZUO;山崎宏德 YAMASAKI, HIRONORI;小野正 ONO, TADASHI;久保晋作 KUBO, SHINSAKU;布谷伸仁 NUNOTANI, SHINJI
分类号 H01L33/36(2010.01) 主分类号 H01L33/36(2010.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本 JP