记忆体装置与其形成方法;MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

摘要

一些实施例有关于具有奈米矽晶体之电荷捕捉层之记忆体装置，包括：一穿隧氧化层沿着一选择闸极，一控制氧化层形成于该控制闸极与该选择闸极之间；以及复数个球状奈米矽晶体排列于该穿隧氧化层与该控制氧化层之间。一绝缘密封层，其隔离该奈米矽晶体与该控制氧化层。选择闸极接触之形成包括两步骤蚀刻。第一蚀刻剂具有介于氧化层与密封层之间的选择比，使得蚀刻移除控制氧化层，而留下密封层大致上完好无缺。第二蚀刻，相对于第一蚀刻，其移除密封层，而留下穿隧氧化层大致上完好无缺。如此一来，从选择闸极之表面上蚀刻移除控制氧化层与奈米矽晶体，而留下穿隧氧化层大致上完好无缺。