| 发明名称 |
III族氮化物磊晶基板及使用该基板之深紫外发光元件 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI502766 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
| 申请号 |
TW102101082 |
申请日期 |
2013.01.11 |
| 申请人 |
同和电子科技股份有限公司 |
发明人 |
大鹿嘉和 |
| 分类号 |
H01L33/04 |
主分类号 |
H01L33/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;郑婷文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;詹富闵 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种III族氮化物磊晶基板，其特征在于包括：基板；AlN缓冲层，形成于上述基板上；第1超晶格积层体及第2超晶格积层体，依序形成于上述缓冲层上；以及III族氮化物积层体，于上述第2超晶格积层体上磊晶成长且包含活性层，该活性层包含AlαGa1-αN(0.03≦α)层，上述第1超晶格积层体交替地含有由AlaGa1-aN构成之第1层、与由AlbGa1-bN(0.9<b≦1)构成之第2层，且满足α<a及a<b之条件，上述第2超晶格积层体反覆地含有由AlxGa1-xN构成之第3层、由AlyGa1-yN构成之第4层、及由AlzGa1-zN(0.9<z≦1)构成之第5层，且满足α<x及x<y<z之条件。 |
| 地址 |
日本 |
