| 发明名称 | ＭＯＣＶＤ设备的清洁方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI502631 | 申请公布日期 | 2015.10.01 |
| 申请号 | TW101144503 | 申请日期 | 2012.11.28 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 尹志尧;杜志游;孟双 |
| 分类号 | H01L21/205;C23C16/513 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 代理人 | 林志青 台北市信义区松隆路102号18楼之1 | |
| 主权项 | 一种MOCVD设备的清洁方法，该MOCVD设备包括一反应腔、及一等离子体处理装置，其中包括：向该反应腔通入一清洁气体，该清洁气体至少包括Ar，利用该等离子体处理装置将该清洁气体等离子体化；以及在该反应腔顶部形成一负偏压，使得该清洁气体的等离子体被加速并轰击该反应腔顶部，从而除去位于该反应腔顶部的残余沉积物，其中，该等离子体处理装置为电容耦合等离子体处理装置，该电容耦合等离子体处理装置包括一第一电极，该第一电极位于该反应腔顶部，且射频信号施加在该第一电极上，在该反应腔内形成一高频电场，该高频电场使该反应腔内的清洁气体形成等离子体，且该第一电极感应产生一负的自偏压，该负的自偏压使该清洁气体的等离子体被加速并轰击该反应腔顶部。 | ||
| 地址 | 中国 | ||