| 主权项 |
一种半导体元件的制作方法，包括：提供一基材，该基材具有一底座以及位于该底座上的多个柱状体；于各该柱状体的侧壁上以及该些柱状体间的该底座上形成一保护层；于该些柱状体的顶面上成长一第一型掺杂半导体材料，以形成多个第一型掺杂半导体结构，其中各该第一型掺杂半导体结构具有一底面以及连接该底面的多个侧壁面，且各该侧壁面相对该底面倾斜；于该些第一型掺杂半导体结构的该些侧壁面上形成多层发光层，其中各该发光层包括一金属元素，且该金属元素于该些发光层中有3种以上的含量；以及于最上层之发光层上形成一第二型掺杂半导体层，其中最上层之发光层的侧壁面与该第一型掺杂半导体结构之该底面夹一角度，该角度不大于65度。
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