| 主权项 |
一种发光二极体装置，包含： 至少一发光二极体单元，该发光二极体单元包含：一第一发光二极体，其包含n侧氮化物半导体层、第一主动层与p侧氮化物半导体层；一第二发光二极体，其包含n侧氮化物半导体层、第二主动层与p侧氮化物半导体层；及一超晶格结构，系由至少一第一子层与至少一第二子层交替堆叠组成，位于该第一发光二极体的p侧氮化物半导体层与该第二发光二极体的n侧氮化物半导体层之间，作为穿隧接面，藉以将该第一发光二极体与该第二发光二极体叠加在一起；其中该超晶格结构具有一吸收光谱，该第一主动层具有一第一发射光谱，该第二主动层具有一第二发射光谱，该吸收光谱位于该第一发射光谱与该第二发射光谱两者之中至少一者之相对短波长侧(shorter-wavelength side)。 |
