发明名称 钴金属障壁层
摘要
申请公布号 TWI502646 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW100146809 申请日期 2011.12.16
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 艾柯卡 罗汉;克拉克 詹姆斯
分类号 H01L21/3205 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种电子装置,包括:基板,在该基板之表面上具有介电材料层,该介电材料具有一形成在其中之凹部,其中该凹部具有至少一侧面,且该凹部之该侧面系与金属层接触,其中该金属层之金属系选自包含钌、铂、铱、钯、铼、及铑的群组,其中该金属层额外地包括钴,其中该凹部系以铜充填,其中该金属层系在该铜及该介电材料之间,且其中该电子装置被退火,以促进该钴的流动性和/或反应性。
地址 美国