发明名称 光电半导体装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI502768 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW098146249 申请日期 2009.12.31
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 张利铭;柯丁嘉;郭得山;柯淙凯;洪详竣
分类号 H01L33/20 主分类号 H01L33/20
代理机构 代理人
主权项 一种光电半导体装置,包含:一载具,包含一上表面,定义一法线方向;一光电转换结构,设置于该载具之上,该光电转换结构系可进行光电转换以发射一光线;以及至少一内部表面,包含该光电转换结构的一下表面以及该载具之一上表面,形成于该光电半导体装置中,以定义至少一孔洞结构,该至少一孔洞结构系为至少一中空结构,且沿该法线方向,贯穿该光电转换结构;其中,该至少一孔洞结构系具有一折射率,使该光线行进至该至少一孔洞结构时改变方向,并远离该载具朝该法线方向行进。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行五路5号
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