| 发明名称 |
半导体基板、混成接合结构及混成接合基板的形成方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI502700 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
| 申请号 |
TW102134695 |
申请日期 |
2013.09.26 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
刘丙寅;陈思莹;王铨中;黄志辉;黄信华;赵兰璘;杜友伦;蔡嘉雄;陈晓萌 |
| 分类号 |
H01L23/48;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L23/48 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种半导体基板，包括：一导电垫，形成于该半导体基板的一表面中且接近该半导体基板的该表面，其中该导电垫的一表面系暴露出来，且其中该导电垫的该表面系用于与另一基板的另一导电垫混成接合；一第一阻障层，衬垫于该导电垫；一第二阻障层，围绕于该导电垫，其中该第二阻障层的一表面对齐于该导电垫的该表面；以及一绝缘材料，位于该半导体基板上方，其中该第二阻障层位于该半导体基板和该绝缘材料之间，且该绝缘材料系用于与该另一基板的另一绝缘材料混成接合。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
