| 发明名称 |
形成于整体或局部隔离基板上之应变环绕式闸极半导体装置 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI502746 |
申请公布日期 |
2015.10.01 |
| 申请号 |
TW102132572 |
申请日期 |
2013.09.10 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
柯柏拉尼 安娜丽莎;派希 艾碧西杰;甘尼 塔何;高梅兹 哈里;金世渊 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包含：一半导体基板；一绝缘结构，设置于该半导体基板上方，其中该绝缘结构包含与该半导体基板相连之一或更多隔离底座；一三维通道区，设置于该绝缘结构上方；源极和汲极区，设置于该三维通道区的任一侧和一外延种子层上，该外延种子层包含不同于该三维通道区及设置于该绝缘结构上的一半导体材料；及一闸极电极堆叠，围绕该三维通道区，其具有设置于该绝缘结构上且侧面相邻于该外延种子层之一部分。
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| 地址 |
美国 |
