| 主权项 |
一种半导体结构，包含：一基板，包含一活性区和一隔离区；复数个闸极结构，各具有置于该活性区上方的部分及置于该基板之该隔离区上方的部分，其中该复数个闸极结构之各者包含一闸极盖介电层在该闸极结构之顶表面上，该闸极盖介电层具有一最上层表面；复数个源极或汲极区，置于该基板之该活性区中，在置于在该活性区上方之该复数个闸极结构之各者之部分之间；复数个沟渠接点，该复数个沟渠接点之各者置于对应于该复数个源极或汲极区之一者上，其中该复数个沟渠接点之各者包含一沟渠盖介电层在该复数个沟渠接点之顶表面上，该沟渠盖介电层具有与该复数个闸极结构之该闸极盖介电层之最上层表面共平面的一最上层表面；一闸极接触通孔，置于该复数个闸极结构之其一者上、在置于该基板之该活性区上方之该复数个闸极结构之一者之该部分上；及一沟渠接触通孔，置于该复数个沟渠接点之其一者上。
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