发明名称 薄膜电晶体基板的制造方法
摘要
申请公布号 TWI502748 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW102122142 申请日期 2013.06.21
申请人 业鑫科技顾问股份有限公司 发明人 安生健二
分类号 H01L29/786;H01L21/336 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项 一种薄膜电晶体基板的制造方法,其包括:提供一基板,在该基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、透明导电层及金属层;提供一光阻层,该光阻层覆盖在该金属层上,利用一光罩对该光阻层进行曝光显影,以形成图案化光阻层,该图案化光阻层邻近半导体层的部分较厚,远离半导体层的部分较薄,再对金属层进行蚀刻,直到暴露出部分蚀刻阻挡层;去除剩余的较薄部分的光阻层,以暴露出部分金属层,位于该半导体层一侧的该金属层且与该透明电极相邻的部分形成该薄膜电晶体基板的漏极,位于该半导体层的另一侧的该金属层形成该薄膜晶体基板的源极;对暴露在外的金属层进行蚀刻,以暴露出部分该透明导电层,暴露在外的该透明导电层作为该薄膜电晶体基板的画素电极;以及去除该光阻层。
地址 新竹县竹北市台元一街1号7楼之1